体硅上外延超薄Si1-xGex用于制备SGOI材料

薛忠营^1,2，张波^1,2，魏星¹，张苗¹

1. 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室2. 中国科学院研究生院

摘 要：采用减压化学气相沉积的方法在Si衬底上制备了高质量的Si0.75Ge0.25/Si/Si0.86Ge0.14叠层材料,通过TEM、光学显微镜和XRD分析表明,外延的SiGe薄膜具有完好的晶格结构,平整的表面质量,SiGe薄膜处于完全应变状态。通过与Si上外延渐变缓冲层制备的SiGe材料比较发现,使用这种超薄的全应变SiGe叠层材料来制备SGOI,可以大大缩短制备周期,降低制备成本。

关键词：外延;应变;锗硅;SGOI;