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锗硅碳合金中碳的应变缓解效应研究

来源期刊：材料科学与工程学报2000年第1期

论文作者：卢焕明章国强亓震叶志镇汪雷赵炳辉黄靖云

关键词：锗硅碳合金; 应变弛豫; 超高真空CVD;

摘要：SiGeC三元合金成为近年来人们研究的热点之一.处于替代位置的碳可以缓解SiGe合金的应变,同时调节其能带,在能带工程上提供了更大的灵活性.本文利用UHV/CVD技术生长了掺碳达2.2%的锗硅碳合金,获得了良好的外延层质量,并对碳的应变缓解效应进行了研究.

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卢焕明¹，章国强¹，亓震¹，叶志镇¹，汪雷¹，赵炳辉¹，黄靖云¹

(1.浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027)

摘要:SiGeC三元合金成为近年来人们研究的热点之一.处于替代位置的碳可以缓解SiGe合金的应变,同时调节其能带,在能带工程上提供了更大的灵活性.本文利用UHV/CVD技术生长了掺碳达2.2%的锗硅碳合金,获得了良好的外延层质量,并对碳的应变缓解效应进行了研究.

关键词:锗硅碳合金; 应变弛豫; 超高真空CVD;

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