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高Ge成份SiGe合金弛豫及热应变的Raman光谱研究

来源期刊:材料科学与工程学报2005年第1期

论文作者:崔继锋 吴贵斌 赵炳辉 叶志镇

关键词:锗硅; 拉曼; 高分辨XRD; 应变驰豫; 热应变;

摘    要:采用Raman光谱对高Ge含量的锗硅合金中的应变驰豫进行研究,运用Mooney的两种方法对合金中Ge成分及应力进行了分析,并用HRXRD对其分析结果进行了验证.最后分析了热应变对Si1-xGex外延的影响.

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高Ge成份SiGe合金弛豫及热应变的Raman光谱研究

崔继锋1,吴贵斌1,赵炳辉1,叶志镇1

(1.浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027)

摘要:采用Raman光谱对高Ge含量的锗硅合金中的应变驰豫进行研究,运用Mooney的两种方法对合金中Ge成分及应力进行了分析,并用HRXRD对其分析结果进行了验证.最后分析了热应变对Si1-xGex外延的影响.

关键词:锗硅; 拉曼; 高分辨XRD; 应变驰豫; 热应变;

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