Fe-Mn-Si记忆合金中应力诱发γ→εM的相变机制
来源期刊：材料科学与工程学报2007年第5期
论文作者：王东爱 李宗民 乔志霞 宁保群 刘永长
关键词：Fe-Mn-Si记忆合金; 生长机制; 透射电镜; 应力诱发εM;
摘 要：通过高分辨透射电镜观察得知,Fe-25%Mn-4.5%Si-1%Cr-2%Ni形状记忆合金中母相γ的亚结构主要是平行分布的、不同程度重叠的层错.母相的这一亚结构特征决定随应力诱发相变进行的程度不同,可分别形成单片状和多层状两类不同形态的ε马氏体(εM),这由透射电镜观察得到了证实.这两类不同形态εM的逆相变特征亦不相同,单片状εM在逆相变时能保持较好的晶体学可逆性,有利于形状记忆效应,而多层状εM由于受到层间界面的制约,逆相变后残留下较多晶体缺陷,对形状恢复不利.
王东爱1，李宗民2，乔志霞3，宁保群3，刘永长3
(1.天津商学院机械工程学院,天津,300134;
2.河北省青龙县交通局,河北,青龙,066500;
3.天津大学材料科学与工程学院,天津,300072)
摘要:通过高分辨透射电镜观察得知,Fe-25%Mn-4.5%Si-1%Cr-2%Ni形状记忆合金中母相γ的亚结构主要是平行分布的、不同程度重叠的层错.母相的这一亚结构特征决定随应力诱发相变进行的程度不同,可分别形成单片状和多层状两类不同形态的ε马氏体(εM),这由透射电镜观察得到了证实.这两类不同形态εM的逆相变特征亦不相同,单片状εM在逆相变时能保持较好的晶体学可逆性,有利于形状记忆效应,而多层状εM由于受到层间界面的制约,逆相变后残留下较多晶体缺陷,对形状恢复不利.
关键词:Fe-Mn-Si记忆合金; 生长机制; 透射电镜; 应力诱发εM;
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