用于高品质射频集成电感的厚膜多孔硅背向生长技术
来源期刊：稀有金属材料与工程2006年第6期
论文作者：廖怀林 周毅 黄如 张国艳 王阳元 张兴 杨利
关键词：多孔硅; 射频集成电感; 电化学腐蚀; 后处理工艺; porous silicon (PS); RF integrated inductor; electrochemical etch; post-processing procedure;
摘 要：介绍了一种用于高品质射频集成电感的厚膜多孔硅背向生长技术.ASITIC模拟证明厚膜多孔硅衬底能够显著提高射频集成电感的性能.采用背向生长技术成功地制备出了厚膜多孔硅包括穿透整个硅片的多孔硅,并证实了该技术作为后处理工艺应用于CMOS技术的可行性.ESEM对所制样品的表面和截面形貌进行了分析.通过多组实验,得出了多孔硅生长速度与腐蚀电流密度的准线性关系.
廖怀林1，周毅1，黄如1，张国艳1，王阳元1，张兴1，杨利1
(1.北京大学,北京,100871)
摘要:介绍了一种用于高品质射频集成电感的厚膜多孔硅背向生长技术.ASITIC模拟证明厚膜多孔硅衬底能够显著提高射频集成电感的性能.采用背向生长技术成功地制备出了厚膜多孔硅包括穿透整个硅片的多孔硅,并证实了该技术作为后处理工艺应用于CMOS技术的可行性.ESEM对所制样品的表面和截面形貌进行了分析.通过多组实验,得出了多孔硅生长速度与腐蚀电流密度的准线性关系.
关键词:多孔硅; 射频集成电感; 电化学腐蚀; 后处理工艺; porous silicon (PS); RF integrated inductor; electrochemical etch; post-processing procedure;
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