SOI射频集成器件研制
来源期刊：功能材料与器件学报2005年第2期
论文作者：李俊峰 韩郑生 杨荣 钱鹤
关键词：射频; 绝缘硅; LDMOS; NMOS; 电感; 结构; 制造; radio frequency; silicon on insulator; LDMOS; NMOS; inductor; structure; fabrication;
摘 要：提出了包含射频有源和无源器件的SOI集成结构及工艺方案,在同一SIMOX衬底上制作了射频LDMOS、NMOS、电感、电容、电阻和变容管.核心的LDMOS、NMOS和电感器件均获得了优良的电学特性:0.25μm栅长的LDMOS截止频率和关态击穿电压分别为19.3 GHz和16.1 V;而0.25μm栅长的NMOS对应参数则为21.3 GHz和4.8 V;采用开发的局部介质增厚技术后,2 nH、5 nH、10 nH螺旋电感的最大品质因数分别达到了6.5、5.0、4.0,相对于不采用此技术的电感(最大品质因数分别为4.3、3.2、2.3),分别改善了77%,58%,49%.
李俊峰1，韩郑生1，杨荣1，钱鹤1
(1.中国科学院微电子研究所,北京,100029)
摘要:提出了包含射频有源和无源器件的SOI集成结构及工艺方案,在同一SIMOX衬底上制作了射频LDMOS、NMOS、电感、电容、电阻和变容管.核心的LDMOS、NMOS和电感器件均获得了优良的电学特性:0.25μm栅长的LDMOS截止频率和关态击穿电压分别为19.3 GHz和16.1 V;而0.25μm栅长的NMOS对应参数则为21.3 GHz和4.8 V;采用开发的局部介质增厚技术后,2 nH、5 nH、10 nH螺旋电感的最大品质因数分别达到了6.5、5.0、4.0,相对于不采用此技术的电感(最大品质因数分别为4.3、3.2、2.3),分别改善了77%,58%,49%.
关键词:射频; 绝缘硅; LDMOS; NMOS; 电感; 结构; 制造; radio frequency; silicon on insulator; LDMOS; NMOS; inductor; structure; fabrication;
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