GexSi1-x材料生长的改善
来源期刊：材料研究学报2000年第2期
论文作者：余金中 成步文 于卓 王启明 李代宗 雷震霖
关键词：超高真空化学气相淀积; GeSi; X射线双晶衍射;
摘 要：利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统在650℃生长出表面光亮的GeSi单晶在1200L/min分子泵与前级机械泵间串接450L/min分子泵,改善了生长环境串接分子泵后生长的样品的X射线双晶衍射分析表明,外延层衍射峰半宽仅为198arcsec,且出现了Pendellosung干涉条纹,说明外延层结晶质量很好.
余金中1，成步文1，于卓1，王启明1，李代宗1，雷震霖1
(1.中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室;
2.中国科学院沈阳科学仪器研制中心)
摘要:利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统在650℃生长出表面光亮的GeSi单晶在1200L/min分子泵与前级机械泵间串接450L/min分子泵,改善了生长环境串接分子泵后生长的样品的X射线双晶衍射分析表明,外延层衍射峰半宽仅为198arcsec,且出现了Pendellosung干涉条纹,说明外延层结晶质量很好.
关键词:超高真空化学气相淀积; GeSi; X射线双晶衍射;
【全文内容正在添加中】
