UHV/CVD硅外延的实时硼掺杂研究
来源期刊：材料科学与工程学报2001年第2期
论文作者：马德群 王亚东 赵炳辉 汪雷 叶志镇 黄靖云
关键词：超高真空化学气相沉积; 实时B掺杂; 硅外延;
摘 要：本文利用超高真空化学气相沉积系统(UHV/CVD)在720℃Si(100)衬底上进行了实时B掺杂的硅外延.采用二次离子质谱仪(SIMS),傅立叶红外光谱(FTIR),扩展电阻仪(SRP)对外延层的性能进行研究.研究表明:720℃生长时已经实时掺入了B原子,1000℃退火5分钟后,外延层中B原子被激活,浓度达到1017～1O18cm-1,且过渡层分布陡峭.
马德群1，王亚东1，赵炳辉1，汪雷1，叶志镇1，黄靖云1
(1.浙江大学微系统研究与开发中心,)
摘要:本文利用超高真空化学气相沉积系统(UHV/CVD)在720℃Si(100)衬底上进行了实时B掺杂的硅外延.采用二次离子质谱仪(SIMS),傅立叶红外光谱(FTIR),扩展电阻仪(SRP)对外延层的性能进行研究.研究表明:720℃生长时已经实时掺入了B原子,1000℃退火5分钟后,外延层中B原子被激活,浓度达到1017～1O18cm-1,且过渡层分布陡峭.
关键词:超高真空化学气相沉积; 实时B掺杂; 硅外延;
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