ZrB_2+SiC陶瓷高温氧化过程中SiC耗尽层的形成机制研究
来源期刊：稀有金属材料与工程2009年增刊第2期
论文作者：王超 王宝来 栾旭 梁军
关键词：ZrB_2+SiC陶瓷; SiC耗尽层; 氧化; 孔隙率; 高温; ZrB_2+SiC; SiC depletion layer; oxidation; porosity; high temperature;
摘 要：ZrB_2+SiC陶瓷在高温氧化过程中会形成一层多孔的SiC耗尽层.本文首先计算了在高温氧化过程中的主要氧化产物.通过对氧化过程中相变机制的分析,利用质量守恒、固体区域体积守恒并结合反应速率方程,研究了SiC耗尽层的形成与演化过程,给出了孔隙率随温度的变化规律.结果表明:氧化过程中生成相的体积膨胀及SiC的初始体积含量是影响SiC耗尽层孔隙率的主要因素.对计算结果的分析解释了试验中发现的在低SiC含量下不出现耗尽层,以及氧化层破坏的现象.
王超1，王宝来1，栾旭1，梁军1
(1.哈尔滨工业大学,黑龙江,哈尔滨,150001)
摘要:ZrB_2+SiC陶瓷在高温氧化过程中会形成一层多孔的SiC耗尽层.本文首先计算了在高温氧化过程中的主要氧化产物.通过对氧化过程中相变机制的分析,利用质量守恒、固体区域体积守恒并结合反应速率方程,研究了SiC耗尽层的形成与演化过程,给出了孔隙率随温度的变化规律.结果表明:氧化过程中生成相的体积膨胀及SiC的初始体积含量是影响SiC耗尽层孔隙率的主要因素.对计算结果的分析解释了试验中发现的在低SiC含量下不出现耗尽层,以及氧化层破坏的现象.
关键词:ZrB_2+SiC陶瓷; SiC耗尽层; 氧化; 孔隙率; 高温; ZrB_2+SiC; SiC depletion layer; oxidation; porosity; high temperature;
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