用Ti/Cu/Ni中间层二次部分瞬间液相连接Si3N4陶瓷的研究
来源期刊：航空材料学报2005年第5期
论文作者：初亚杰 邹家生 陈铮 蒋志国
关键词：氮化硅; 二次PTLP连接; 连接强度; 界面结构; 反应层;
摘 要：采用Ti/Cu/Ni中间层对Si3N4陶瓷进行二次PTLP连接,研究Ti箔厚度、连接工艺参数对Si3N4/Ti/C/Ni连接强度和界面结构的影响.结果表明:Ti箔厚度对连接强度的影响是通过对反应层厚度的影响体现的;在本文试验条件下,改变二次连接工艺参数对Si3N4/Ti/Cu/Ni二次PTLP连接界面反应层厚度无明显影响,其对室温强度的影响是由于连接接头残余应力的变化所导致的;Si3N4/Ti/Cu/Ni二次PTLP连接界面微观结构为Si3N4/反应层/Cu-Ni固溶体层(少量的Cu-Ni-Ti)/Ni.
初亚杰1，邹家生2，陈铮1，蒋志国1
(1.江苏科技大学,材料学院,江苏,镇江,212003;
2.南京理工大学,材料科学与工程系,南京,210094)
摘要:采用Ti/Cu/Ni中间层对Si3N4陶瓷进行二次PTLP连接,研究Ti箔厚度、连接工艺参数对Si3N4/Ti/C/Ni连接强度和界面结构的影响.结果表明:Ti箔厚度对连接强度的影响是通过对反应层厚度的影响体现的;在本文试验条件下,改变二次连接工艺参数对Si3N4/Ti/Cu/Ni二次PTLP连接界面反应层厚度无明显影响,其对室温强度的影响是由于连接接头残余应力的变化所导致的;Si3N4/Ti/Cu/Ni二次PTLP连接界面微观结构为Si3N4/反应层/Cu-Ni固溶体层(少量的Cu-Ni-Ti)/Ni.
关键词:氮化硅; 二次PTLP连接; 连接强度; 界面结构; 反应层;
【全文内容正在添加中】
