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磁控溅射制备铁掺杂氮化铜薄膜的研究

来源期刊：材料导报2006年第12期

论文作者：姚凯伦左安友杨建平李兴鳌刘祖黎袁作彬

关键词：氮化铜薄膜; 磁控溅射; 电阻率;

摘要：采用反应磁控溅射法在氮气分压0.5Pa、基底温度100℃条件下,在玻璃基底上分别制备了氮化铜薄膜和铁掺杂氮化铜薄膜.XRD显示氮化铜薄膜择优(111)晶面生长,铁掺杂使氮化铜薄膜的结晶程度减弱.AFM显示铁掺杂使氮化铜薄膜粗糙度增加.铁掺杂不同程度地提高了氮化铜薄膜的沉积速率和电阻率.

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姚凯伦¹，左安友²，杨建平²，李兴鳌¹，刘祖黎¹，袁作彬²

(1.华中科技大学物理系,武汉,430074;
2.湖北民族学院理学院,恩施,445000)

摘要:采用反应磁控溅射法在氮气分压0.5Pa、基底温度100℃条件下,在玻璃基底上分别制备了氮化铜薄膜和铁掺杂氮化铜薄膜.XRD显示氮化铜薄膜择优(111)晶面生长,铁掺杂使氮化铜薄膜的结晶程度减弱.AFM显示铁掺杂使氮化铜薄膜粗糙度增加.铁掺杂不同程度地提高了氮化铜薄膜的沉积速率和电阻率.

关键词:氮化铜薄膜; 磁控溅射; 电阻率;

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