GaN场发射高分辨电子显微像的图像处理-显示GaN中原子分辨率晶体缺陷的可能性
来源期刊：金属学报2002年第6期
论文作者：王怀斌 李方华
关键词：GaN; 晶体缺陷; 高分辨电子显微学; 场发射电子显微镜; 解卷处理;
摘 要：本文介绍了场发射高分辨电子显微像的图像处理原理,用300 kV场发射电子显微镜的参数模拟了GaN完整晶体和缺陷晶体结构模型的显微像.经过处理的显微像上能够分辨间距为0.112nm的Ga和N原子,并能显示N原子空位.
王怀斌1，李方华1
(1.中国科学院物理研究所和中国科学院凝聚态物理中心,北京,100080)
摘要:本文介绍了场发射高分辨电子显微像的图像处理原理,用300 kV场发射电子显微镜的参数模拟了GaN完整晶体和缺陷晶体结构模型的显微像.经过处理的显微像上能够分辨间距为0.112nm的Ga和N原子,并能显示N原子空位.
关键词:GaN; 晶体缺陷; 高分辨电子显微学; 场发射电子显微镜; 解卷处理;
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