HB掺In-GaAs晶体缺陷的X射线形貌研究
来源期刊：东北大学学报(自然科学版)1990年第2期
论文作者：郭起志 赵梦春 赵惠芳 李庆辉 赵志杰
文章页码：154 - 158
关键词：X射线形貌术;晶体缺陷;位错;等电子掺杂;
摘 要：利用X射线形貌术,结合电子探针研究HB掺In-GaAs晶体缺陷的问题。实验结果表明,等电子掺杂In非常明显地降低了HB法GaAs晶体的缺陷,但其掺入量及其均匀分布十分关键。
郭起志，赵梦春，赵惠芳，李庆辉，赵志杰
摘 要：利用X射线形貌术,结合电子探针研究HB掺In-GaAs晶体缺陷的问题。实验结果表明,等电子掺杂In非常明显地降低了HB法GaAs晶体的缺陷,但其掺入量及其均匀分布十分关键。
关键词：X射线形貌术;晶体缺陷;位错;等电子掺杂;
