KTiOAsO4晶体的生长缺陷研究
来源期刊：无机材料学报2000年第4期
论文作者：牟其善 王绪宁 刘希玲 路庆明 马长勤
关键词：KTiOAsO4晶体; 同步辐射X射线形貌术; 缺陷; 铁电畴; KTiOAsO4 crystal; synchrotron radiation topography; defect; ferroelectric domaindocument;
摘 要：研究KTiOAsO4晶体的生长缺陷, 对于改善它的性能和应用前景, 有很大的意义. 本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了KTiOAsO4晶体的缺陷, 实验结果表明, 两种腐蚀剂对于显示KTA晶体的表面缺陷效果显著, KTA晶体中主要的缺陷有铁电畴、生长层、扇形界、位错和包裹物. 讨论了这些缺陷形成的原因.
牟其善1，王绪宁2，刘希玲1，路庆明2，马长勤2
(1.山东教育学院数理系, 250013, 山东大学晶体材料国家实验室, 济南 250100;
2.山东大学化学院, 济南 250100)
摘要:研究KTiOAsO4晶体的生长缺陷, 对于改善它的性能和应用前景, 有很大的意义. 本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了KTiOAsO4晶体的缺陷, 实验结果表明, 两种腐蚀剂对于显示KTA晶体的表面缺陷效果显著, KTA晶体中主要的缺陷有铁电畴、生长层、扇形界、位错和包裹物. 讨论了这些缺陷形成的原因.
关键词:KTiOAsO4晶体; 同步辐射X射线形貌术; 缺陷; 铁电畴; KTiOAsO4 crystal; synchrotron radiation topography; defect; ferroelectric domaindocument;
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