纳米V2O5的晶体缺陷与导电性能研究
来源期刊：功能材料2000年第4期
论文作者：俞文海 王大志 刘皖育 潘登余
关键词：溶胶-凝胶法; 纳米V2O5; 晶体缺陷; 电导率;
摘 要：用溶胶-凝胶法制备纳米V2O5粉体,利用LR、ESR结构分析手段研究晶体缺陷,并用阻抗谱研究它的导电性能.阻抗谱表明,在较低退火温度下得到的纳米V2O5粉体(平均粒径为5.0nm)表现出超常的导电性能,其电导率高于其它样品二个数量级.IR、ESR分析指出,该样品中V2O5结构发生严重畸变,引起氧空位浓度增加,并认为是导致良好导电性能之主要原因.
俞文海1，王大志1，刘皖育1，潘登余2
(1.中国科技大学材料科学与工程系,安徽,合肥,230026;
2.安徽机电学院基础部,安徽,芜湖,241000)
摘要:用溶胶-凝胶法制备纳米V2O5粉体,利用LR、ESR结构分析手段研究晶体缺陷,并用阻抗谱研究它的导电性能.阻抗谱表明,在较低退火温度下得到的纳米V2O5粉体(平均粒径为5.0nm)表现出超常的导电性能,其电导率高于其它样品二个数量级.IR、ESR分析指出,该样品中V2O5结构发生严重畸变,引起氧空位浓度增加,并认为是导致良好导电性能之主要原因.
关键词:溶胶-凝胶法; 纳米V2O5; 晶体缺陷; 电导率;
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