无压浸渗制备SiC/Al电子封装材料的结构与性能
来源期刊：理化检验物理分册2013年第4期
论文作者：蒋会宾 刘君武 吴米贵 肖鹏
文章页码：212 - 215
关键词：无压浸渗;SiC/Al复合材料;电子封装材料;结构;性能;
摘 要：将粒度为F280的SiC颗粒振实后直接无压浸渗液态AlSi12Mg8铝合金,制备出高SiC含量的铝基复合材料,并对其结构和性能进行了研究。结果表明:采用该方法制备的SiC/A1复合材料内部组织结构均匀致密,无明显气孔等缺陷,界面产物主要为Mg2Si,MgO,MgAl2O4;平均密度为2.93 g·cm-3,抗弯强度在320 MPa以上,热膨胀系数为6.14×10-6～9.24×10-6 K-1,导热系数为173 W·m-1·K-1,均满足电子封装材料要求。
蒋会宾，刘君武，吴米贵，肖鹏
合肥工业大学
摘 要：将粒度为F280的SiC颗粒振实后直接无压浸渗液态AlSi12Mg8铝合金,制备出高SiC含量的铝基复合材料,并对其结构和性能进行了研究。结果表明:采用该方法制备的SiC/A1复合材料内部组织结构均匀致密,无明显气孔等缺陷,界面产物主要为Mg2Si,MgO,MgAl2O4;平均密度为2.93 g·cm-3,抗弯强度在320 MPa以上,热膨胀系数为6.14×10-6～9.24×10-6 K-1,导热系数为173 W·m-1·K-1,均满足电子封装材料要求。
关键词：无压浸渗;SiC/Al复合材料;电子封装材料;结构;性能;
