热蒸发多孔Si/SiO2薄膜的光致发光特性研究
来源期刊：材料导报2018年第S1期
论文作者：赵丽特 范东华 代福 朱慧群 陈毅湛 王忆 罗仁华
文章页码：50 - 53
关键词：薄膜;多孔;Si/SiO2;光致发光;能隙态模型;
摘 要：本工作采用热蒸发法制备了多孔Si/SiO2薄膜,利用拉曼、红外、XRD研究了薄膜的结构,SEM研究了表面形貌,使用光致发光（PL）谱对其发光特性进行了研究。结果表明,激发波长为325nm（2.88eV）时,样品的峰位分别在430nm（2.88eV）、441nm（2.81eV）、523nm（2.47eV）、554nm（2.24eV）,激发波长为488nm时,峰位在570nm（2.18eV）,采用施主态Si悬挂键≡Si 0位于2.81eV,受主态Si悬挂键≡Si-位于3.00eV处,引入SiOx（x小于2）和Si-O-Si缺陷态能级,能级分别为5.05eV和0.63eV,建立了Si/SiO2薄膜的能隙态（EGS）模型,并讨论了其发光机制。
赵丽特，范东华，代福，朱慧群，陈毅湛，王忆，罗仁华
五邑大学应用物理与材料学院
摘 要：本工作采用热蒸发法制备了多孔Si/SiO2薄膜,利用拉曼、红外、XRD研究了薄膜的结构,SEM研究了表面形貌,使用光致发光（PL）谱对其发光特性进行了研究。结果表明,激发波长为325nm（2.88eV）时,样品的峰位分别在430nm（2.88eV）、441nm（2.81eV）、523nm（2.47eV）、554nm（2.24eV）,激发波长为488nm时,峰位在570nm（2.18eV）,采用施主态Si悬挂键≡Si 0位于2.81eV,受主态Si悬挂键≡Si-位于3.00eV处,引入SiOx（x小于2）和Si-O-Si缺陷态能级,能级分别为5.05eV和0.63eV,建立了Si/SiO2薄膜的能隙态（EGS）模型,并讨论了其发光机制。
关键词：薄膜;多孔;Si/SiO2;光致发光;能隙态模型;
