简介概要

新一代栅介质材料--高K材料

来源期刊：材料导报2006年第2期

论文作者：宋雪梅李驰平严辉王波

关键词：高K材料; SiO2栅介质减薄; 等效SiO2厚度;

摘要：介绍了微电子工业的发展趋势和SiO2作为CMOS栅介质减薄所带来的问题,从而引出对高K材料的需求,简单介绍了作为栅极介质的各种高介电常数材料的性能的比较及制备高K薄膜的主要方法,总结了一些高K材料的研究现状,论述了目前有待进一步解决的问题,并展望了高K材料的发展趋势.

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宋雪梅¹，李驰平¹，严辉¹，王波¹

(1.北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022)

摘要:介绍了微电子工业的发展趋势和SiO2作为CMOS栅介质减薄所带来的问题,从而引出对高K材料的需求,简单介绍了作为栅极介质的各种高介电常数材料的性能的比较及制备高K薄膜的主要方法,总结了一些高K材料的研究现状,论述了目前有待进一步解决的问题,并展望了高K材料的发展趋势.

关键词:高K材料; SiO2栅介质减薄; 等效SiO2厚度;

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