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扫描透射电子显微镜(STEM)在新一代高K栅介质材料的应用

来源期刊:无机材料学报2014年第12期

论文作者:朱信华 李爱东 刘治国

文章页码:1233 - 1240

关键词:扫描透射电子显微镜;Z-衬度STEM像;高K柵介质材料;界面微结构;综述;

摘    要:扫描透射电子显微镜(STEM)原子序数衬度像(Z-衬度像)具有分辨率高(可直接"观察"到晶体中原子的真实位置)、对化学组成敏感以及图像直观易解释等优点,成为原子尺度研究材料微结构的强有力工具。本文介绍了STEM Z-衬度像成像原理、方法及技术特点,并结合具体的高K栅介质材料(如铪基金属氧化物、稀土金属氧化物和钙钛矿结构外延氧化物薄膜)对STEM在新一代高K栅介质材料研究中的应用进行了评述。目前球差校正STEM Z-衬度的像空间分辨率已达亚埃级,该技术在高K柵介质与半导体之间的界面微结构表征方面具有十分重要的应用。对此,本文亦进行了介绍。

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扫描透射电子显微镜(STEM)在新一代高K栅介质材料的应用

朱信华1,李爱东2,刘治国2

1. 南京大学物理学院,固体微结构物理国家重点实验室2. 南京大学材料科学与工程系

摘 要:扫描透射电子显微镜(STEM)原子序数衬度像(Z-衬度像)具有分辨率高(可直接"观察"到晶体中原子的真实位置)、对化学组成敏感以及图像直观易解释等优点,成为原子尺度研究材料微结构的强有力工具。本文介绍了STEM Z-衬度像成像原理、方法及技术特点,并结合具体的高K栅介质材料(如铪基金属氧化物、稀土金属氧化物和钙钛矿结构外延氧化物薄膜)对STEM在新一代高K栅介质材料研究中的应用进行了评述。目前球差校正STEM Z-衬度的像空间分辨率已达亚埃级,该技术在高K柵介质与半导体之间的界面微结构表征方面具有十分重要的应用。对此,本文亦进行了介绍。

关键词:扫描透射电子显微镜;Z-衬度STEM像;高K柵介质材料;界面微结构;综述;

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