高k栅介质的研究进展
来源期刊：材料导报2008年增刊第3期
论文作者：王文海 张道明 甄聪棉 赵丽丽 徐大印 吴现成 卢振伟
关键词：微电子材料; 栅介质; 等效SiO2厚度; 薄膜;
摘 要：随着集成电路的飞速发展,半导体器件特征尺寸按摩尔定律不断缩小.SiO2栅介质将无法满足Metal-oxide-semniconductor field-effect transistor(MOSFET)器件高集成度的需求.因此,应用于新一代MOSFET的高介电常数(k)栅介质材料成为微电子材料研究热点.介绍了不断变薄的SiO2栅介质层带来的问题、对MOSFET栅介质材料的要求、制备高k薄膜的主要方法,总结了高k材料的研究现状及有待解决的问题.
王文海1，张道明1，甄聪棉2，赵丽丽1，徐大印1，吴现成1，卢振伟1
(1.烟台大学光电学院,烟台,264005;
2.河北师范大学物理系,石家庄,050016)
摘要:随着集成电路的飞速发展,半导体器件特征尺寸按摩尔定律不断缩小.SiO2栅介质将无法满足Metal-oxide-semniconductor field-effect transistor(MOSFET)器件高集成度的需求.因此,应用于新一代MOSFET的高介电常数(k)栅介质材料成为微电子材料研究热点.介绍了不断变薄的SiO2栅介质层带来的问题、对MOSFET栅介质材料的要求、制备高k薄膜的主要方法,总结了高k材料的研究现状及有待解决的问题.
关键词:微电子材料; 栅介质; 等效SiO2厚度; 薄膜;
【全文内容正在添加中】
