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氘化硼掺杂金刚石n型电导的研究

来源期刊：功能材料2005年第12期

论文作者：闫翠霞龙闰俞琳刘东红胡连军戴瑛

关键词：金刚石; 氘化; n型电导; 掺杂;

摘要：室温下缺少浅施主中心,已经成为金刚石材料制造电子器件的主要障碍之一.最近报道显示硼掺杂p型同质外延金刚石暴露在氘离子束中能形成浅施主态的n型电导,这是在外延金刚石材料中首次测出的浅施主能级.本文分析研究了目前p型金刚石出现导电类型转换这一新现象的最新研究进展.

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闫翠霞¹，龙闰¹，俞琳¹，刘东红¹，胡连军¹，戴瑛¹

(1.山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100;
2.山东大学,国家晶体材料重点实验室,山东,济南,250100)

摘要:室温下缺少浅施主中心,已经成为金刚石材料制造电子器件的主要障碍之一.最近报道显示硼掺杂p型同质外延金刚石暴露在氘离子束中能形成浅施主态的n型电导,这是在外延金刚石材料中首次测出的浅施主能级.本文分析研究了目前p型金刚石出现导电类型转换这一新现象的最新研究进展.

关键词:金刚石; 氘化; n型电导; 掺杂;

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