放电等离子烧结工艺制备致密碳化硅陶瓷
来源期刊：机械工程材料2008年第3期
论文作者：张勇 孔祥磊 曲选辉 段柏华 何新波
关键词：碳化硅陶瓷; 放电等离子烧结; 致密度;
摘 要：以SiC微粉为原料,并添加质量分数为10%的Al2O3和Y2O3为烧结助剂,采用放电等离子烧(SPS)技术快速制备了SiC陶瓷,对烧结致密化过程、SPS烧结温度、烧结压力及烧结时间对致密化的影响进行了研究,并通过XRD和SEM等检测手段对SPS烧结得到烧结体的显微组织和物相组成进行了分析.结果表明:SiC的SPS烧结过程可分为放气膨胀区、气体溢出收缩区、烧结收缩区、烧结完成区四阶段,最佳的烧结参数为1600℃,50 MPa,5min,所得的烧结体致密度达99.09%.
张勇1，孔祥磊1，曲选辉1，段柏华1，何新波1
(1.北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083)
摘要:以SiC微粉为原料,并添加质量分数为10%的Al2O3和Y2O3为烧结助剂,采用放电等离子烧(SPS)技术快速制备了SiC陶瓷,对烧结致密化过程、SPS烧结温度、烧结压力及烧结时间对致密化的影响进行了研究,并通过XRD和SEM等检测手段对SPS烧结得到烧结体的显微组织和物相组成进行了分析.结果表明:SiC的SPS烧结过程可分为放气膨胀区、气体溢出收缩区、烧结收缩区、烧结完成区四阶段,最佳的烧结参数为1600℃,50 MPa,5min,所得的烧结体致密度达99.09%.
关键词:碳化硅陶瓷; 放电等离子烧结; 致密度;
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