PCVD涂硅的动力学研究
来源期刊：材料保护2000年第12期
论文作者：王蕾 周树清 陈大凯
关键词：涂硅; PCVD法; 动力学;
摘 要：采用等离子体化学气相沉积(PCVD)法，在0．1～0．3mm厚的普通硅钢片表面涂硅，再进行短时间高温扩散，使硅钢片的含Si量增加到6．5％，铁损P10/50比原来钢片降低50％，其他磁性能也大有改善。试验结果表明，在460～600℃涂硅，其他条件不变，涂硅速度随温度升高而降低，并对等离子体反应的动力学和热力学进行了研究。
王蕾1，周树清1，陈大凯1
(1.武汉科技大学 430081)
摘要:采用等离子体化学气相沉积(PCVD)法，在0．1～0．3mm厚的普通硅钢片表面涂硅，再进行短时间高温扩散，使硅钢片的含Si量增加到6．5％，铁损P10/50比原来钢片降低50％，其他磁性能也大有改善。试验结果表明，在460～600℃涂硅，其他条件不变，涂硅速度随温度升高而降低，并对等离子体反应的动力学和热力学进行了研究。
关键词:涂硅; PCVD法; 动力学;
【全文内容正在添加中】
