多层复合结构应变硅材料的生长和特性
来源期刊：材料研究学报2007年第1期
论文作者：许军 李志坚 徐阳 梁仁荣 王敬
关键词：无机非金属材料; 半导体材料; 应变硅; 减压化学气相沉积; 锗硅虚拟衬底; 多层复合结构;
摘 要：应用减压化学气相沉积技术,在弛豫Si0.7Ge0.3层/组分渐变Si1-xGex层/Si衬底这一多层复合结构的基础上制作了应变硅材料,其中组分渐变Si1-xGex层Ge的摩尔分数x从O线性增加到0.2.对该复合结构的性能进行了表征,由原子力显微镜和Raman光谱测试结果计算出应变硅层的表面粗糙度和应变度分别为4.12 nm和1.2%,材料中的位错密度为4×104cm-2.经受了高热开销过程后,应变硅层的应变度及其表面形貌基本上保持不变.
许军1，李志坚1，徐阳1，梁仁荣1，王敬1
(1.清华大学微电子学研究所,北京,100084)
摘要:应用减压化学气相沉积技术,在弛豫Si0.7Ge0.3层/组分渐变Si1-xGex层/Si衬底这一多层复合结构的基础上制作了应变硅材料,其中组分渐变Si1-xGex层Ge的摩尔分数x从O线性增加到0.2.对该复合结构的性能进行了表征,由原子力显微镜和Raman光谱测试结果计算出应变硅层的表面粗糙度和应变度分别为4.12 nm和1.2%,材料中的位错密度为4×104cm-2.经受了高热开销过程后,应变硅层的应变度及其表面形貌基本上保持不变.
关键词:无机非金属材料; 半导体材料; 应变硅; 减压化学气相沉积; 锗硅虚拟衬底; 多层复合结构;
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