Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶材料发展动态
来源期刊：稀有金属2000年第5期
论文作者：邓志杰 钱嘉裕 郑安生 韩庆斌
关键词：Ⅲ-Ⅴ族半导体; 单晶生长; 位错;
摘 要：介绍了Ⅲ-Ⅴ族化合物单晶生长工艺包括 LEC、VCZ、VGF/VB、HB 的发展现状;欲生长大直径、高质量单晶,仍须对热传输和化学计量等问题进行深入研究.目前,全世界Ⅲ-Ⅴ族半导体单晶产量约 80t,产值约5亿美元.
摘要：介绍了Ⅲ-Ⅴ族化合物单晶生长工艺包括 LEC、VCZ、VGF/VB、HB 的发展现状;欲生长大直径、高质量单晶,仍须对热传输和化学计量等问题进行深入研究.目前,全世界Ⅲ-Ⅴ族半导体单晶产量约 80t,产值约5亿美元.
关键词：Ⅲ-Ⅴ族半导体; 单晶生长; 位错;
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