大尺寸 6H-SiC半导体单晶材料的生长
来源期刊：无机材料学报2002年第4期
论文作者：刘先才 肖兵 陈之战 庄击勇 施尔畏
关键词：碳化硅单晶; 晶体生长; PVT法; 微管道;
摘 要：报道了生长SiC单晶的PVT法生长工艺,研究了晶体生长温度、温度梯度、生长室压力、杂质等因素对晶体生长和晶体质量的影响,确定出合理的工艺条件,生长出ф45mmSiC单晶.X射线衍射表明,生长的单晶为6H多型结构,通过腐蚀法得到晶体中微管道密度约为103cm-2,位错密度约为104～105cm-2.测试了SiC单晶的半导体特性,结果表明:晶体为n型,电阻率约300Ω.cm,迁移率90cm2V-1S-1,载流子浓度在1014cm-3量级.
刘先才1，肖兵1，陈之战1，庄击勇1，施尔畏1
(1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050)
摘要:报道了生长SiC单晶的PVT法生长工艺,研究了晶体生长温度、温度梯度、生长室压力、杂质等因素对晶体生长和晶体质量的影响,确定出合理的工艺条件,生长出ф45mmSiC单晶.X射线衍射表明,生长的单晶为6H多型结构,通过腐蚀法得到晶体中微管道密度约为103cm-2,位错密度约为104～105cm-2.测试了SiC单晶的半导体特性,结果表明:晶体为n型,电阻率约300Ω.cm,迁移率90cm2V-1S-1,载流子浓度在1014cm-3量级.
关键词:碳化硅单晶; 晶体生长; PVT法; 微管道;
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