氨化Ga2O3/Nb膜制备的GaN纳米线的光学和微观结构特性的研究
来源期刊：稀有金属材料与工程2009年第4期
论文作者：张士英 李保理 庄惠照 薛成山 王德晓 申加兵
关键词：纳米线; 氨化; GaN; nanowires; ammoniating; GaN;
摘 要：采用射频磁控溅射技术在硅衬底上制备Ga2O3/Nb薄膜,然后在900℃下于流动的氨气中进行氨化制备GaN纳米线.用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜详细分析了GaN纳米线的结构和形貌.结果表明:采用此方法得到的GaN纳米线有直的形态和光滑的表面,其纳米线的直径大约50nm,纳米线的长约几个微米.室温下以325nm波长的光激发样品表面,只显示出一个位于367 nm的很强的紫外发光峰.最后,简单讨论了GaN纳米线的生长机制.
张士英1，李保理1，庄惠照1，薛成山1，王德晓1，申加兵1
(1.山东师范大学,山东,济南,250014)
摘要:采用射频磁控溅射技术在硅衬底上制备Ga2O3/Nb薄膜,然后在900℃下于流动的氨气中进行氨化制备GaN纳米线.用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜详细分析了GaN纳米线的结构和形貌.结果表明:采用此方法得到的GaN纳米线有直的形态和光滑的表面,其纳米线的直径大约50nm,纳米线的长约几个微米.室温下以325nm波长的光激发样品表面,只显示出一个位于367 nm的很强的紫外发光峰.最后,简单讨论了GaN纳米线的生长机制.
关键词:纳米线; 氨化; GaN; nanowires; ammoniating; GaN;
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