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氨化Si基Ga2O3/V膜制备GaN纳米线

来源期刊:稀有金属材料与工程2009年第3期

论文作者:王邹平 秦丽霞 李红 陈金华 薛成山 王公堂 杨兆柱 庄慧照

关键词:磁控溅射; 氮化镓; 纳米线; 光致发光; magnetron sputtering; GaN; nanowires:photoluminescence;

摘    要:氨化硅基钒应变层氧化镓膜制备了大量氮化镓纳米线,X射线衍射、扫描电子显微镜和透射电子显微镜观察发现,纳米线具有十分光滑且干净的表面,其直径为20~60 nm左右,长度达到十几微米.高分辨透射电子显微镜和选区电子衍射分析结果表明,制备的氮化稼纳米线为六方纤锌矿结构.光致发光谱显示制备的氮化稼纳米线有良好的发光特性.另外,简单讨论了氮化稼纳米线的生长机制.

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氨化Si基Ga2O3/V膜制备GaN纳米线

王邹平1,秦丽霞1,李红1,陈金华1,薛成山1,王公堂1,杨兆柱1,庄慧照1

(1.山东师范大学,山东,济南,250014)

摘要:氨化硅基钒应变层氧化镓膜制备了大量氮化镓纳米线,X射线衍射、扫描电子显微镜和透射电子显微镜观察发现,纳米线具有十分光滑且干净的表面,其直径为20~60 nm左右,长度达到十几微米.高分辨透射电子显微镜和选区电子衍射分析结果表明,制备的氮化稼纳米线为六方纤锌矿结构.光致发光谱显示制备的氮化稼纳米线有良好的发光特性.另外,简单讨论了氮化稼纳米线的生长机制.

关键词:磁控溅射; 氮化镓; 纳米线; 光致发光; magnetron sputtering; GaN; nanowires:photoluminescence;

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