Ni-ZrO2金属陶瓷导电性能及力学性能的研究
来源期刊:上海金属2019年第1期
论文作者:杨阳 王成玉 郭艳玲 张捷宇
文章页码:36 - 41
关键词:Ni-ZrO2金属陶瓷;电导率;GEM方程;抗弯强度;
摘 要:采用传统粉末冶金法(粉末压坯—烧结)制备了致密Ni-ZrO2金属陶瓷,并测试了金属陶瓷试样的常温及高温电导率和抗弯强度。采用通用有效介质方程GEM计算得到Ni-ZrO2金属陶瓷的室温电导逾渗阈值为0. 376,临界指数t为1. 738。当Ni的体积分数小于30%时,金属陶瓷呈离子电导特性,电导率随温度的升高而升高;当Ni的体积分数大于40%时,金属陶瓷呈电子电导特性,电导率随温度的升高而降低。Ni-ZrO2金属陶瓷的抗弯强度随Ni含量的增加而增加,高温抗弯强度较室温抗弯强度低。
杨阳1,2,3,王成玉1,2,3,郭艳玲1,2,3,张捷宇1,2,3
1. 省部共建高品质特殊钢冶金与制备国家重点实验室2. 上海市钢铁冶金新技术开发应用重点实验室3. 上海大学材料科学与工程学院
摘 要:采用传统粉末冶金法(粉末压坯—烧结)制备了致密Ni-ZrO2金属陶瓷,并测试了金属陶瓷试样的常温及高温电导率和抗弯强度。采用通用有效介质方程GEM计算得到Ni-ZrO2金属陶瓷的室温电导逾渗阈值为0. 376,临界指数t为1. 738。当Ni的体积分数小于30%时,金属陶瓷呈离子电导特性,电导率随温度的升高而升高;当Ni的体积分数大于40%时,金属陶瓷呈电子电导特性,电导率随温度的升高而降低。Ni-ZrO2金属陶瓷的抗弯强度随Ni含量的增加而增加,高温抗弯强度较室温抗弯强度低。
关键词:Ni-ZrO2金属陶瓷;电导率;GEM方程;抗弯强度;