退火对ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜性能的影响

李文英¹，钟建²，张柯²，汪元元²，尹桂林²，何丹农^1,2

1. 上海交通大学材料科学与工程学院2. 纳米技术及应用国家工程研究中心

摘 要：室温下利用磁控溅射制备了ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜,采用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、扫描电子显微镜（SEM）、霍尔效应测量仪和紫外-可见分光光度计研究了薄膜的结构、形貌、电学及光学等性能与退火温度之间的关系。结果表明:退火前后薄膜均具有ZnO（002）择优取向,随着退火温度的升高,薄膜的晶化程度、晶粒粒径及粗糙度增加,薄膜电阻率先降低后升高,光学透过率和禁带宽度先升高后降低。150℃下真空退火的ZnO/Cu/ZnO薄膜的性能最佳,最高可见光透光率为90.5%,电阻率为1.28×10-4Ω·cm,载流子浓度为4.10×1021cm-3。

关键词：退火;ZnO;Cu;透明导电薄膜;