CuO掺杂对WO_3压敏电阻微结构和电学性能的影响
来源期刊：功能材料2009年第12期
论文作者：王豫 花中秋 陈汉军 赵洪旺 董亮 李统业
关键词：压敏电阻; 导电陶瓷; WO_3; CuO; vristors; cnductive ceramics; WO_3; CuO;
摘 要：研究了CuO掺杂对WO_3压敏电阻微结构和电学行为的影响,样品采用传统的陶瓷工艺制备.微结构通过扫描电子显微镜(SEM)观察,相结构和成分借助于X射线衍射(XRD)和能谱(EDS)进行分析.结果表明,微量的CuO掺杂能够促进WO_3陶瓷的致密化和晶粒生长.根据I-V特性测量结果,0.2%(摩尔分数)CuO掺杂的WO_3陶瓷具有线性伏安特性和极小的电阻率.CuO含量的继续增加使样品的非线性电学行为和电阻率又获得恢复,这是因为偏析于晶界处的CuO与两侧的晶粒形成了n-p-n型的双肖特基势垒.
王豫1，花中秋2，陈汉军1，赵洪旺1，董亮2，李统业2
(1.西南交通大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610031;
2.西南交通大学,超导研究开发中心,四川,成都,610031)
摘要:研究了CuO掺杂对WO_3压敏电阻微结构和电学行为的影响,样品采用传统的陶瓷工艺制备.微结构通过扫描电子显微镜(SEM)观察,相结构和成分借助于X射线衍射(XRD)和能谱(EDS)进行分析.结果表明,微量的CuO掺杂能够促进WO_3陶瓷的致密化和晶粒生长.根据I-V特性测量结果,0.2%(摩尔分数)CuO掺杂的WO_3陶瓷具有线性伏安特性和极小的电阻率.CuO含量的继续增加使样品的非线性电学行为和电阻率又获得恢复,这是因为偏析于晶界处的CuO与两侧的晶粒形成了n-p-n型的双肖特基势垒.
关键词:压敏电阻; 导电陶瓷; WO_3; CuO; vristors; cnductive ceramics; WO_3; CuO;
【全文内容正在添加中】
