Ce掺杂ZnO压敏薄膜的微观结构与电学性能研究

何恺¹，吴文浩¹，吴婕婷¹，徐传孟¹，徐东^1,3

1. 江苏大学材料科学与工程学院3. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室

摘 要：通过溶胶-凝胶法制备了一种稀土Ce掺杂的ZnO-Bi2O3压敏薄膜,对薄膜进行了XRD、AFM、介电与压敏性能的表征。结果表明,Ce掺杂不会影响ZnO-Bi2O3压敏薄膜的晶体结构,但是会减小ZnO-Bi2O3压敏薄膜的晶粒尺寸。Ce掺杂会降低ZnO-Bi2O3压敏薄膜的漏电流,减小材料的介电损耗,提升ZnO-Bi2O3压敏薄膜的非线性性能。当Ce掺杂量达到0.3%（摩尔分数）时,ZnO-Bi2O3压敏薄膜的压敏电压达到了175V/mm,漏电流降低至502μA。

关键词：ZnO;稀土;显微组织;压敏电阻;电学性能;