反应溅射法在立方织构镍基底上制备CeO2缓冲层
来源期刊：中国稀土学报2006年第2期
论文作者：刘慧舟 杨坚 屈飞 古宏伟 张华
关键词：CeO2缓冲层; 反应溅射; 立方织构; Ni基底; 稀土;
摘 要：采用反应溅射的方法在具有立方织构的Ni基底上制备了 CeO2缓冲层.以Ar/H2混合气体为预沉积气体,有效地抑制了基底的氧化.在基片温度为650 ℃,气压为26 Pa的条件下沉积的CeO2薄膜具有纯c轴取向.X射线θ-2θ扫描、极图分析、Φ扫描结果表明,CeO2薄膜有良好的立方织构,其Φ扫描半高宽(FWHM)为9.0°.扫描电镜观察表明,薄膜致密且没有裂纹.
刘慧舟1，杨坚1，屈飞1，古宏伟1，张华1
(1.北京有色金属研究总院超导材料研究中心,北京,100088)
摘要:采用反应溅射的方法在具有立方织构的Ni基底上制备了 CeO2缓冲层.以Ar/H2混合气体为预沉积气体,有效地抑制了基底的氧化.在基片温度为650 ℃,气压为26 Pa的条件下沉积的CeO2薄膜具有纯c轴取向.X射线θ-2θ扫描、极图分析、Φ扫描结果表明,CeO2薄膜有良好的立方织构,其Φ扫描半高宽(FWHM)为9.0°.扫描电镜观察表明,薄膜致密且没有裂纹.
关键词:CeO2缓冲层; 反应溅射; 立方织构; Ni基底; 稀土;
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