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立方织构 Cu-Ni基带及缓冲层的研究

来源期刊:稀有金属2002年第3期

论文作者:刘慧舟 杨坚 胡广勇 舒勇华 史锴 袁冠森 王晓华

关键词:基带; 立方织构; 表面氧化外延; 铜式织构; S织构;

摘    要:系统研究了Cu-Ni 合金基带和纯Ni基带的织构形成及转变规律,重复地获得了稳定的再结晶{001}<100>立方织构.用表面氧化外延(SOE)法生成了 NiO(200)薄膜.轧制总加工率、轧制道次和轧制方向对轧制织构的形成起主要作用;再结晶温度、时间是立方织构形成的主要影响因素.在获得了强立方织构 Cu-Ni 合金基底上(其中Φ扫描曲线的半高宽(FWHM)≤10°),通过SOE方法得到了取向良好NiO(200)缓冲层.

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立方织构 Cu-Ni基带及缓冲层的研究

摘要:系统研究了Cu-Ni 合金基带和纯Ni基带的织构形成及转变规律,重复地获得了稳定的再结晶{001}<100>立方织构.用表面氧化外延(SOE)法生成了 NiO(200)薄膜.轧制总加工率、轧制道次和轧制方向对轧制织构的形成起主要作用;再结晶温度、时间是立方织构形成的主要影响因素.在获得了强立方织构 Cu-Ni 合金基底上(其中Φ扫描曲线的半高宽(FWHM)≤10°),通过SOE方法得到了取向良好NiO(200)缓冲层.

关键词:基带; 立方织构; 表面氧化外延; 铜式织构; S织构;

Cu-Ni Textured Tapes and Buffer Layer for HTS Coated Conductor

Abstract:

Key words:

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