SiCN薄膜的制备及其性能研究
来源期刊：功能材料与器件学报2002年第4期
论文作者：贺德衍 谢二庆 刘肃 林洪峰 宁长春 马紫微
关键词：SiCN薄膜; XRD; IR; XPS; AFM; 场发射;
摘 要：利用射频溅射法在Si衬底上制备了SiCN薄膜,并利用X射线衍射(XRD)、红外吸收谱(FTIR)和X射线光电子谱(XPS)对薄膜的结构、成份及化学键合状态进行了分析.结果表明,室温制备的SiCN薄膜为非晶状态,并形成了Si-C、Si-N和C-N键;而在高温下(衬底温度为800oC),薄膜中含有SiCN的晶体成分.此外,还利用原子力显微镜(AFM)对薄膜的表面形貌进行了研究,并进一步研究了样品的场发射性能.在场强为24V/μm时,最大发射电流可达3.3mA/cm2.
贺德衍1，谢二庆1，刘肃1，林洪峰1，宁长春1，马紫微1
(1.兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000)
摘要:利用射频溅射法在Si衬底上制备了SiCN薄膜,并利用X射线衍射(XRD)、红外吸收谱(FTIR)和X射线光电子谱(XPS)对薄膜的结构、成份及化学键合状态进行了分析.结果表明,室温制备的SiCN薄膜为非晶状态,并形成了Si-C、Si-N和C-N键;而在高温下(衬底温度为800oC),薄膜中含有SiCN的晶体成分.此外,还利用原子力显微镜(AFM)对薄膜的表面形貌进行了研究,并进一步研究了样品的场发射性能.在场强为24V/μm时,最大发射电流可达3.3mA/cm2.
关键词:SiCN薄膜; XRD; IR; XPS; AFM; 场发射;
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