硅晶体缺陷发光及应用
来源期刊：材料导报2005年第1期
论文作者：杨德仁 袁志钟
关键词：硅; 光致发光; 电致发光; 位错; 氧沉淀;
摘 要：信息技术的发展要求在集成电路内部用光子代替电子来传导信息,这就使得硅基光源成为技术发展的方向和光电子集成的关键,是当前急需解决的科学挑战之一.硅晶体缺陷发光是十分重要的硅基发光现象,已引起广泛的关注.在硅基位错发光原理的基础上,综述了硅晶体中缺陷的光致发光和电致发光的研究进展,以及硅晶体缺陷在发光器件方面的应用.
杨德仁1，袁志钟1
(1.浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027)
摘要:信息技术的发展要求在集成电路内部用光子代替电子来传导信息,这就使得硅基光源成为技术发展的方向和光电子集成的关键,是当前急需解决的科学挑战之一.硅晶体缺陷发光是十分重要的硅基发光现象,已引起广泛的关注.在硅基位错发光原理的基础上,综述了硅晶体中缺陷的光致发光和电致发光的研究进展,以及硅晶体缺陷在发光器件方面的应用.
关键词:硅; 光致发光; 电致发光; 位错; 氧沉淀;
【全文内容正在添加中】
