硅纳米线光致发光的原理及研究进展
来源期刊：材料导报2012年第21期
论文作者：杨丽娇 王金良 杨成涛 梅丽润
文章页码：135 - 141
关键词：硅纳米线;光致发光;量子限制效应;
摘 要：系统地介绍了导致硅纳米线(SiNWs)光致发光(PL)的主要原理,如量子限制效应、量子尺寸效应、硅纳米颗粒发光机理和杂质缺陷发光机理。同时从SiNWs的直径、测试温度、SiNWs外部包覆层、SiNWs的形态等几个方面出发,详细地归纳总结了近十多年来国内外对SiNWs的PL原理的研究成果及进展。
杨丽娇，王金良，杨成涛，梅丽润
北京航空航天大学物理学院
摘 要：系统地介绍了导致硅纳米线(SiNWs)光致发光(PL)的主要原理,如量子限制效应、量子尺寸效应、硅纳米颗粒发光机理和杂质缺陷发光机理。同时从SiNWs的直径、测试温度、SiNWs外部包覆层、SiNWs的形态等几个方面出发,详细地归纳总结了近十多年来国内外对SiNWs的PL原理的研究成果及进展。
关键词：硅纳米线;光致发光;量子限制效应;
