ITO靶材的直流磁控溅射镀膜工艺研究

来源期刊：材料开发与应用2019年第6期

论文作者：崔晓芳 吴晓飞 郗雨林

文章页码：35 - 39

关键词：ITO靶材;ITO薄膜;直流磁控溅射;

摘    要：对ITO靶材的直流磁控溅射工艺进行研究,通过正交试验方法确定制备ITO薄膜的最优工艺参数,并明确了溅射温度、氧氩比、溅射气压和溅射功率密度对ITO薄膜电阻率和可见光透过率的影响规律。最优工艺参数为溅射温度370℃,氧氩比0.5/40,溅射气压0.4 Pa,溅射功率密度0.17 W/cm~2。薄膜电阻率受各因素影响的主次顺序是:氧氩比>溅射温度>溅射气压>溅射功率密度。薄膜可见光透过率受各因素影响的主次顺序为:溅射温度>溅射气压>氧氩比>溅射功率密度。