Ar气氛下直流磁控溅射ITO薄膜的结构和性能
来源期刊：功能材料与器件学报2007年第2期
论文作者：徐华蕊 周怀营 职利
关键词：直流磁控溅射; ITO薄膜; 氩气压强; 电导率; 透过率;
摘 要：采用直流磁控溅射法在低温、100%Ar的无氧气氛中制备了光电性能优良的铟锡氧化物(ITO,In2O3:SnO2=90:10,质量百分比)薄膜,详细探讨了溅射时改变氩气压强对ITO薄膜结构以及光电性能的影响.结果表明:溅射时氩气压强越小,ITO薄膜的体心立方晶型越完整,导电性越好,但对可见光透过性的影响不大.当氩气压强为0.3Pa时,溅射薄膜性能最佳,其光透过率可达92.9%,电导率为8.9×10-4Ω·cm.
徐华蕊1，周怀营1，职利1
(1.桂林电子科技大学信息材料科学与工程系,桂林,541004)
摘要:采用直流磁控溅射法在低温、100%Ar的无氧气氛中制备了光电性能优良的铟锡氧化物(ITO,In2O3:SnO2=90:10,质量百分比)薄膜,详细探讨了溅射时改变氩气压强对ITO薄膜结构以及光电性能的影响.结果表明:溅射时氩气压强越小,ITO薄膜的体心立方晶型越完整,导电性越好,但对可见光透过性的影响不大.当氩气压强为0.3Pa时,溅射薄膜性能最佳,其光透过率可达92.9%,电导率为8.9×10-4Ω·cm.
关键词:直流磁控溅射; ITO薄膜; 氩气压强; 电导率; 透过率;
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