Al掺杂ZnO薄膜的制备及红外光学性能的研究
来源期刊：稀有金属材料与工程2009年增刊第2期
论文作者：何大伟 封宾 王永生 鞠长滨 富鸣 杜玙璠
关键词：掺铝氧化锌; 红外辐射; 涂层材料; 掺杂半导体; Al-doped ZnO; infrared emissivity; coated materials; doped semiconductor;
摘 要：采用溶胶-凝胶法合成Al掺杂ZnO胶体,通过浸涂法在石英衬底上制备不同退火温度的ZAO薄膜.通过XRD、FT-IR、IR-2型红外辐射仪等手段对薄膜进行表征并研究不同工艺条件对薄膜红外性能的影响.结果显示,Al的掺杂并未改变ZnO的晶型结构,薄膜材料具有沿(002)晶面趋向性生长的特点.ZAO薄膜在可见光区具有高透过率,平均透过率在80%左右,在红外波段具有较高的透过率,所得到的ZAO薄膜在红外波段具有较低的发射率.
何大伟1，封宾1，王永生1，鞠长滨1，富鸣1，杜玙璠1
(1.北京交通大学,发光与信息技术教育部重点实验室,北京,100044)
摘要:采用溶胶-凝胶法合成Al掺杂ZnO胶体,通过浸涂法在石英衬底上制备不同退火温度的ZAO薄膜.通过XRD、FT-IR、IR-2型红外辐射仪等手段对薄膜进行表征并研究不同工艺条件对薄膜红外性能的影响.结果显示,Al的掺杂并未改变ZnO的晶型结构,薄膜材料具有沿(002)晶面趋向性生长的特点.ZAO薄膜在可见光区具有高透过率,平均透过率在80%左右,在红外波段具有较高的透过率,所得到的ZAO薄膜在红外波段具有较低的发射率.
关键词:掺铝氧化锌; 红外辐射; 涂层材料; 掺杂半导体; Al-doped ZnO; infrared emissivity; coated materials; doped semiconductor;
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