简介概要

低维Ⅳ元素半导体纳米材料制备方法的研究进展

来源期刊:材料导报2009年增刊第2期

论文作者:陶宇 吴海平 王辉 夏燕萍 陶国良 张国庆

关键词:纳米材料; 半导体; 硅; 锗; nanomterials; semiconductors; silicon; germanium;

摘    要:低维半导体纳米材料由于具备许多特殊的电学及光学性能,近年来受到研究学者的广泛关注.综述了近期国内外低维Ⅳ族元素半导体纳米材料制备方法的研究进展,并对已经报道的制备方法进行了分类和总结,展望了低维元素半导体的研究前景.

详情信息展示

低维Ⅳ元素半导体纳米材料制备方法的研究进展

陶宇1,吴海平2,王辉1,夏燕萍1,陶国良4,张国庆4

(1.江苏工业学院,常州,213164;
2.浙江理工大学先进纺织材料与制备技术教育部重点实验室,杭州310018;
3.江苏工业学院,常州213164;
4.浙江理工大学先进纺织材料与制备技术教育部重点实验室,杭州,310018)

摘要:低维半导体纳米材料由于具备许多特殊的电学及光学性能,近年来受到研究学者的广泛关注.综述了近期国内外低维Ⅳ族元素半导体纳米材料制备方法的研究进展,并对已经报道的制备方法进行了分类和总结,展望了低维元素半导体的研究前景.

关键词:纳米材料; 半导体; 硅; 锗; nanomterials; semiconductors; silicon; germanium;

【全文内容正在添加中】

<上一页 1 下一页 >

有色金属在线官网  |   会议  |   在线投稿  |   购买纸书  |   科技图书馆

中南大学出版社 技术支持 版权声明   电话:0731-88830515 88830516   传真:0731-88710482   Email:administrator@cnnmol.com

互联网出版许可证:(署)网出证(京)字第342号   京ICP备17050991号-6      京公网安备11010802042557号