低维Ⅳ元素半导体纳米材料制备方法的研究进展
来源期刊:材料导报2009年增刊第2期
论文作者:陶宇 吴海平 王辉 夏燕萍 陶国良 张国庆
关键词:纳米材料; 半导体; 硅; 锗; nanomterials; semiconductors; silicon; germanium;
摘 要:低维半导体纳米材料由于具备许多特殊的电学及光学性能,近年来受到研究学者的广泛关注.综述了近期国内外低维Ⅳ族元素半导体纳米材料制备方法的研究进展,并对已经报道的制备方法进行了分类和总结,展望了低维元素半导体的研究前景.
陶宇1,吴海平2,王辉1,夏燕萍1,陶国良4,张国庆4
(1.江苏工业学院,常州,213164;
2.浙江理工大学先进纺织材料与制备技术教育部重点实验室,杭州310018;
3.江苏工业学院,常州213164;
4.浙江理工大学先进纺织材料与制备技术教育部重点实验室,杭州,310018)
摘要:低维半导体纳米材料由于具备许多特殊的电学及光学性能,近年来受到研究学者的广泛关注.综述了近期国内外低维Ⅳ族元素半导体纳米材料制备方法的研究进展,并对已经报道的制备方法进行了分类和总结,展望了低维元素半导体的研究前景.
关键词:纳米材料; 半导体; 硅; 锗; nanomterials; semiconductors; silicon; germanium;
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