低维GaN纳米材料的最新研究进展
来源期刊：稀有金属材料与工程2002年第5期
论文作者：李克智 李建业 李镇江 曹永革 李贺军 陈小龙
关键词：氮化镓; 量子点(纳米晶); 纳米线(纳米棒); 制备方法;
摘 要：氮化镓是宽的直接带隙半导体材料,由于其优异的性能,使之成为制作耐高温、大功率、低能耗电子器件,高速场效应晶体管,高效蓝光发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和紫外光电导探测器等光电子器件的理想材料.低维GaN纳米材料在基础理论研究和纳米技术应用等方面都具有巨大潜力.因此,近年来低维GaN纳米材料的制备和物性研究已成为热点之一.本文报道了低维GaN纳米材料的最新制备方法的研究进展.
李克智1，李建业2，李镇江1，曹永革2，李贺军1，陈小龙2
(1.西北工业大学,陕西西安,710072;
2.中国科学院物理所和凝固态物理中心,北京,100080)
摘要:氮化镓是宽的直接带隙半导体材料,由于其优异的性能,使之成为制作耐高温、大功率、低能耗电子器件,高速场效应晶体管,高效蓝光发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和紫外光电导探测器等光电子器件的理想材料.低维GaN纳米材料在基础理论研究和纳米技术应用等方面都具有巨大潜力.因此,近年来低维GaN纳米材料的制备和物性研究已成为热点之一.本文报道了低维GaN纳米材料的最新制备方法的研究进展.
关键词:氮化镓; 量子点(纳米晶); 纳米线(纳米棒); 制备方法;
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