低维硫属化物晶体的合成研究进展
来源期刊：功能材料与器件学报2001年第2期
论文作者：安永林 辛剑 董言治
关键词：低维硫属化物; 溶剂热; 电化学方法; 高温合成;
摘 要：金属硫属化物是指含有Ⅵ A族 S2－、 Se2－、 Te2－元素的化合物，它们在半导体领域、配位化学、 固体化学及红外探测设备中具有不可替代的重要性。这类化合物主要包括Ⅱ－Ⅵ族和Ⅳ－Ⅵ族化合物半导体以及多元金属硫属化物（尤其是过渡金属硫化物） ,其合成几乎涉及所有的晶体生长 方法，如：薄膜生长法、高温合成方法、电化学方法、溶剂热合成等。本文综述了低维硫属化物几种 合成方法的优缺点及其新进展。
安永林1，辛剑1，董言治1
(1.大连理工大学无机化学教研室 288 ,)
摘要:金属硫属化物是指含有Ⅵ A族 S2－、 Se2－、 Te2－元素的化合物，它们在半导体领域、配位化学、 固体化学及红外探测设备中具有不可替代的重要性。这类化合物主要包括Ⅱ－Ⅵ族和Ⅳ－Ⅵ族化合物半导体以及多元金属硫属化物（尤其是过渡金属硫化物） ,其合成几乎涉及所有的晶体生长 方法，如：薄膜生长法、高温合成方法、电化学方法、溶剂热合成等。本文综述了低维硫属化物几种 合成方法的优缺点及其新进展。
关键词:低维硫属化物; 溶剂热; 电化学方法; 高温合成;
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