Bi4Ti3O12薄膜及快速退火工艺的研究
来源期刊：兵器材料科学与工程2002年第3期
论文作者：张金春 李岩 苏学军
关键词：MOCVD; XRD; 快速退火; EDAX;
摘 要：采用MOCVD工艺在Ts=440℃条件下制备组分Bi/Ti=1.44的非晶态薄膜,经过快速退火处理,制备高度择优取向的Bi4Ti3O12 铁电薄膜,在Ts=400℃条件下制备组分Bi/Ti=1.11的非晶态薄膜,经过快速退火处理,制备高度择优取向的Bi2Ti2O7薄膜,较好的退火温度为630℃、时间为60s;快速退火对薄膜组分的影响不大,在相同的退火温度下,生成43相还是22相取决于退火前薄膜材料的组分.
张金春1，李岩2，苏学军1
(1.海军航空工程学院理化教研室,烟台,264001;
2.海军航空工程学院电工教研室,烟台,264001)
摘要:采用MOCVD工艺在Ts=440℃条件下制备组分Bi/Ti=1.44的非晶态薄膜,经过快速退火处理,制备高度择优取向的Bi4Ti3O12 铁电薄膜,在Ts=400℃条件下制备组分Bi/Ti=1.11的非晶态薄膜,经过快速退火处理,制备高度择优取向的Bi2Ti2O7薄膜,较好的退火温度为630℃、时间为60s;快速退火对薄膜组分的影响不大,在相同的退火温度下,生成43相还是22相取决于退火前薄膜材料的组分.
关键词:MOCVD; XRD; 快速退火; EDAX;
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