MgO插层对FeN基复合膜的磁各向异性的影响
来源期刊：有色金属(冶炼部分)2018年第10期
论文作者：梅雪珍
文章页码：73 - 76
关键词：FeN合金;薄膜材料;磁各向异性能;界面调控;
摘 要：在FeN薄膜中不同位置引入较薄的MgO插层,研究其对FeN合金的磁各向异性能和界面电子结构的影响。结果表明,在FeN薄膜的上界面处插入MgO可以形成Fe-O轨道杂化,使得磁各向异性能（Keff）显著增加,有利于体系向垂直磁各向异性转变;但是,在FeN薄膜的下界面处插入MgO会破坏Cr/MgO间的晶格外延,使得Keff值下降,不利于实现垂直磁各向异性。
梅雪珍
北京矿冶科技集团有限公司
摘 要：在FeN薄膜中不同位置引入较薄的MgO插层,研究其对FeN合金的磁各向异性能和界面电子结构的影响。结果表明,在FeN薄膜的上界面处插入MgO可以形成Fe-O轨道杂化,使得磁各向异性能（Keff）显著增加,有利于体系向垂直磁各向异性转变;但是,在FeN薄膜的下界面处插入MgO会破坏Cr/MgO间的晶格外延,使得Keff值下降,不利于实现垂直磁各向异性。
关键词：FeN合金;薄膜材料;磁各向异性能;界面调控;
