制备工艺及参数对TbCo薄膜垂直磁各向异性能的影响
来源期刊：稀有金属材料与工程2007年第11期
论文作者：张玉龙 章平 王辉 黄致新 李佐宜 张锋 吴斌
关键词：TbCo薄膜; 磁各向异性; 磁控溅射; 工艺参数;
摘 要：采用射频磁控溅射法制备了TbCo非晶垂直磁化膜,并就制备工艺及参数对其磁各向异性能的影响进行了研究.结果表明:磁性层组分、溅射气压、基片偏压以及后退火温度对TbCo非晶垂直磁化膜的磁各向异性能都有不同程度的影响.当Tb含量为30%左右,或溅射气压为0.53 Pa时,TbCo薄膜的磁各向异性能Ku会呈现极大值.基片偏压超过-60V以后,TbCo薄膜Ku值开始显著上升,但超过-120 V以后,Ku值开始趋向饱和.200 ℃以上真空退火会使TbCo薄膜磁各向异性能Ku值明显下降.产生这些现象的原因与薄膜微观结构的改变有关.
张玉龙1，章平1，王辉1，黄致新1，李佐宜3，张锋1，吴斌1
(1.华中师范大学,湖北,武汉,430079;
2.郧阳师范高等专科学校,湖北,丹江口,442700;
3.华中科技大学,湖北,武汉,430074)
摘要:采用射频磁控溅射法制备了TbCo非晶垂直磁化膜,并就制备工艺及参数对其磁各向异性能的影响进行了研究.结果表明:磁性层组分、溅射气压、基片偏压以及后退火温度对TbCo非晶垂直磁化膜的磁各向异性能都有不同程度的影响.当Tb含量为30%左右,或溅射气压为0.53 Pa时,TbCo薄膜的磁各向异性能Ku会呈现极大值.基片偏压超过-60V以后,TbCo薄膜Ku值开始显著上升,但超过-120 V以后,Ku值开始趋向饱和.200 ℃以上真空退火会使TbCo薄膜磁各向异性能Ku值明显下降.产生这些现象的原因与薄膜微观结构的改变有关.
关键词:TbCo薄膜; 磁各向异性; 磁控溅射; 工艺参数;
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