掺硼浓度对金刚石薄膜二次电子发射特性的影响

叶勤燕¹，王兵¹，甘孔银²，李凯²，周亮¹，王东¹

1. 西南科技大学四川省非金属复合与功能材料重点实验室-省部共建国家重点实验室培育基地2. 中国工程物理研究院应用电子学研究所

摘 要：掺硼金刚石薄膜具有负电子亲和势和良好的电子运输性能且容易制备,作为冷阴极材料在图像显示技术和真空技术等领域都存在巨大的应用价值,引起人们的广泛关注。采用MPCVD法利用氢气、甲烷和硼烷的混合气体,制备出不同浓度的掺硼金刚石薄膜。结果表明,掺硼浓度影响金刚石薄膜的物相结构、组织形貌,进而影响其二次电子发射性能,当硼烷的流量为4mL/min时,制备的金刚石薄膜质量最好,二次电子发射系数约为90。

关键词：掺硼金刚石薄膜;二次电子发射;化学气相沉积;