抑制二次电子发射方法的研究

金雪莲^1,2，吴雪梅^1,2，诸葛兰剑³，金成刚⁴

1. 苏州大学物理科学与技术学院2. 江苏省薄膜材料重点实验室3. 苏州大学分析测试中心4. 哈尔滨工业大学空间环境与物质科学研究院

摘 要：电介质和金属表面被激发出来的二次电子（Secondary electron emission, SEE）可以显著地改变该表面附近的电势分布和通量。在一些情况下,如电子束焊机、扫描电子显微镜、透射式电子显微镜、电子衍射仪、俄歇电子能谱仪、电子倍增管等应用中,二次电子的次级倍增效应得到很好的应用。然而在另一些情况下,例如射频放大器、粒子加速器和霍尔推进器、电子真空管、空间宇宙飞行器表面等应用中,二次电子会对仪器产生不利的影响。因此,抑制二次电子发射及研究减少二次电子产额（Secondary electron yield, SEY）是非常有意义的。现有的抑制二次电子发射的研究方法有外加偏置场法和表面处理法,其中通过外加电场或磁场来抑制二次电子的激发会对入射束流、束斑产生不利影响,因此表面处理法更具优势。表面处理法主要分为三类:表面陷阱构造（矩形以及三角形的凹槽、微孔结构、纤维结构、泡沫结构等）、表面镀膜（石墨烯膜、TiN膜等）、表面束流处理（激光刻蚀、磁控溅射法）。这些抑制二次电子激发的方法主要为了达到两个目的,一是减少物体表面的真二次电子的发射,二是捕获发射的二次电子,使之不能逃逸。本文总结了一些抑制二次电子激发的方法,比较不同方法或不同影响因素对二次电子的影响。

关键词：二次电子发射;表面构造;表面镀膜;离子束轰击;