(100)/(111)面金刚石膜抗氧等离子刻蚀能力
来源期刊：航空材料学报2019年第2期
论文作者：孙祁 汪建华 程翀 陈祥磊 吴荣俊 刘单 祝娇
文章页码：55 - 60
关键词：金刚石膜;(100)晶面;(111)晶面;氧等离子体;刻蚀;
摘 要：使用微波等离子体技术（microwave plasma chemical vapor deposition,MPCVD）对膜厚100μm的（100）和（111）晶面金刚石膜进行刻蚀处理,研究其抗氧等离子体的行为。结果表明:（100）晶面刻蚀首先发生在晶棱晶界处,而（111）晶面金刚石的刻蚀首先发生在晶面处;30 min刻蚀后,（100）面金刚石有明显晶面显现,（111）面金刚石膜晶面不明显;60 min刻蚀后,（100）和（111）晶面金刚石膜的择优取向消失;（100）晶面金刚石特征峰的半高宽值（full width at the half maximum,FWHM）由刻蚀前的8.51 cm–1上升至刻蚀后的12.48 cm–1,（111）晶面金刚石FWHM值由8.74 cm–1上升至148.49 cm–1;（100）晶面金刚石膜刻蚀速率在40 min时为0.35μm/min,60 min时上升至1.34μm/min;刻蚀前期,（100）晶面金刚石膜具有更好的抗氧等离子体刻蚀能力,刻蚀后期其抗刻蚀能力与（111）晶面金刚石膜相似。
孙祁1,2，汪建华2，程翀1，陈祥磊1，吴荣俊1，刘单1，祝娇1
1. 武汉第二船舶设计研究所2. 武汉工程大学材料科学与工程学院
摘 要：使用微波等离子体技术（microwave plasma chemical vapor deposition,MPCVD）对膜厚100μm的（100）和（111）晶面金刚石膜进行刻蚀处理,研究其抗氧等离子体的行为。结果表明:（100）晶面刻蚀首先发生在晶棱晶界处,而（111）晶面金刚石的刻蚀首先发生在晶面处;30 min刻蚀后,（100）面金刚石有明显晶面显现,（111）面金刚石膜晶面不明显;60 min刻蚀后,（100）和（111）晶面金刚石膜的择优取向消失;（100）晶面金刚石特征峰的半高宽值（full width at the half maximum,FWHM）由刻蚀前的8.51 cm–1上升至刻蚀后的12.48 cm–1,（111）晶面金刚石FWHM值由8.74 cm–1上升至148.49 cm–1;（100）晶面金刚石膜刻蚀速率在40 min时为0.35μm/min,60 min时上升至1.34μm/min;刻蚀前期,（100）晶面金刚石膜具有更好的抗氧等离子体刻蚀能力,刻蚀后期其抗刻蚀能力与（111）晶面金刚石膜相似。
关键词：金刚石膜;(100)晶面;(111)晶面;氧等离子体;刻蚀;
