氮化碳薄膜的电化学沉积及其电阻率研究
来源期刊：功能材料与器件学报2004年第1期
论文作者：项顼 朱鹤孙 吕强 张家涛 李超 曹传宝
关键词：氮化碳; 电化学沉积; 电阻率;
摘 要：在ITO导电玻璃基底上,采用二氰二胺分散在DMF(N,N-二甲基甲酰胺)中形成的溶液做沉积液,阴极电化学沉积了CNx薄膜.X射线光电子能谱(XPS)和傅立叶转换红外光谱(FTIR)的分析结果表明,沉积的CNx薄膜的N/C比为0.7左右,碳和氮主要以C-N、C=N的形式成键,有少量的碳和氮以C≡N的形式成键.拉曼光谱测试发现其存在多个吸收峰,对其进行分析的结果表明薄膜样品中含有α-C3N4和β-C3N4相的成分.电阻率测试表明,氮化碳薄膜的电阻率值达到1012～1013Ω·cm.
项顼1，朱鹤孙1，吕强1，张家涛1，李超1，曹传宝1
(1.北京理工大学材料科学研究中心,北京,100081;
2.郑州轻工业学院化学工程系,郑州,450002)
摘要:在ITO导电玻璃基底上,采用二氰二胺分散在DMF(N,N-二甲基甲酰胺)中形成的溶液做沉积液,阴极电化学沉积了CNx薄膜.X射线光电子能谱(XPS)和傅立叶转换红外光谱(FTIR)的分析结果表明,沉积的CNx薄膜的N/C比为0.7左右,碳和氮主要以C-N、C=N的形式成键,有少量的碳和氮以C≡N的形式成键.拉曼光谱测试发现其存在多个吸收峰,对其进行分析的结果表明薄膜样品中含有α-C3N4和β-C3N4相的成分.电阻率测试表明,氮化碳薄膜的电阻率值达到1012～1013Ω·cm.
关键词:氮化碳; 电化学沉积; 电阻率;
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